臺(tái)積電于去年底開始投產(chǎn)10nm工藝，不過投產(chǎn)后卻面臨著良率問題，經(jīng)過數(shù)個(gè)月的努力，至目前據(jù)臺(tái)媒的報(bào)道指良率已提升到70%左右。

　　聯(lián)發(fā)科去年為了進(jìn)軍高端市場(chǎng)，下了很大的決心，將其今年的高端芯片helio X30和helio P35都采用臺(tái)積電的10nm工藝，希望采用當(dāng)前最先進(jìn)工藝來獲得更好的性能和功耗表現(xiàn)，以與高通競(jìng)爭(zhēng)。

　　聯(lián)發(fā)科原計(jì)劃是本季度初投產(chǎn)X30，二季度開始投產(chǎn)P35，但是由于臺(tái)積電的10nm工藝良率問題以及需要優(yōu)先照顧蘋果生產(chǎn)A10X的原因，helio X30直到近期才投產(chǎn)預(yù)計(jì)二季度有手機(jī)采用該芯片上市。

　　現(xiàn)在因?yàn)樘O果的A11處理器訂單巨大，并且下個(gè)月就開始生產(chǎn)，這意味著臺(tái)積電能分給聯(lián)發(fā)科P35的10nm工藝產(chǎn)能將極為有限，P35能否如期投產(chǎn)上市將成為一個(gè)疑問，而且從當(dāng)前的情況來看這個(gè)影響會(huì)延續(xù)到三季度，到三季度的話聯(lián)發(fā)科將迎來高通多款芯片的挑戰(zhàn)，P35將難有競(jìng)爭(zhēng)力。

　　高通去年的中端芯片驍龍625采用了三星的14nmFinFET工藝生產(chǎn)，由于性能功耗表現(xiàn)優(yōu)異取得了中國(guó)手機(jī)品牌包括OPPO在內(nèi)的支持。今年新款中高端芯片驍龍660也將采用三星的14nmFinFET工藝。

　　驍龍625和聯(lián)發(fā)科P35都是八核A53架構(gòu)，驍龍660是四核A73+四核A53架構(gòu)性能更高。高通采用三星14nmFinFET工藝有多種考慮，一個(gè)是避免了沖擊自己的高端芯片驍龍835，另一個(gè)是14nmFinFET工藝更成熟產(chǎn)能充足和成本較低，這樣可以保證充足的供應(yīng)。

　　如今回顧聯(lián)發(fā)科采用10nm工藝的激進(jìn)策略，可以認(rèn)為這是一種錯(cuò)誤，導(dǎo)致自己一再錯(cuò)失良機(jī)，并且影響到今年三季度，對(duì)其業(yè)績(jī)將產(chǎn)生嚴(yán)重的不利影響。

　　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，往往并非僅僅是芯片設(shè)計(jì)能力的競(jìng)爭(zhēng)，也是一個(gè)企業(yè)對(duì)其他行業(yè)綜合考慮進(jìn)而采取符合自己策略的競(jìng)爭(zhēng)，聯(lián)發(fā)科過去幾年其實(shí)做已很不錯(cuò)，甚至一度在中國(guó)手機(jī)芯片市場(chǎng)的份額超過高通，但是在10nm工藝上卻做出如此抉擇顯然一件相當(dāng)遺憾的事情。
 

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